Полупроводниковые нанокристаллы для оптоэлектроники и биомедицины
Руководитель направления проф. В.Ю.Тимошенко
Тел: +7 (495) 939-1944
119991, ГСП-1, Москва, Ленинские горы, дом 1, строение 35, комн. 224, 216

Главная

Направление исследований

к.ф.-м.н. Павликов Александр Владимирович — старший преподаватель кафедры общей физики и молекулярной электроники физического факультета МГУ им. М.В. Ломоносова.

Павликов Александр Владимирович закончил физический факультет МГУ в 1996 г. и аспирантуру кафедры общей физики и молекулярной электроники в 1999 г., по завершении которой защитила кандидатскую диссертацию (2000 г.).

С апреля 1999 г. А.В. Павликов работает на Физическом факультете МГУ в должности научного сотрудника, с сентября 1999 – ассистента, а с 2002 – старшего преподавателя кафедры общей физики и молекулярной электроники.

С 1999 г. А.В. Павликов проводит семинарские и практические занятия по общей физике для студентов 1-го и 2-го курсов химического факультета МГУ.

Педагогическую деятельность А.В. Павликов сочетает с активной научной работой. Его исследовательские интересы связаны с физикой полупроводниковых наноструктур. За последние 5 лет им опубликованы 13 научных работ, из которых 6 – статьи в ведущих отечественных и зарубежных научных журналах, 7 – тезисы конференций. Под его руководством за последние пять лет защищено четыре дипломных и пять курсовых работ.

Научная работа А.В. Павликова связана с получением, а также исследованием структурных, физико-химических свойств кремниевых и наночастиц и частиц карбида кремния для их использования в оптоэлектронике, термоэлектричестве и других областях.

Объектом исследований А.В. Павликова являются кремниевые наноматериалы: пористый кремний, кремниевые нанонити, частицы кремния, полученные методом низкотемпературного химического синтеза, а также частицы карбида кремния.

Методы исследований: ФЛ, ИК, КРС итд.

Список публикаций Павликова А.В.

  • 1. П.К.Кашкаров, Е.А.Константинова, А.В.Павликов, В.Ю.Тимошенко. "Модификация оптических свойств пористого кремния при адсорбции молекул". Материалы конференции "Проблемы Фундаментальной Физики" (ПФФ-96), Саратов, Россия, 7-12 октября, с.37, (1996).
  • 2. P.K.Kashkarov, E.A.Konstantinova, A.V.Pavlikov, V.Yu.Timoshenko "Influence of ambient dielectric properties on the luminescence in quantum wires of porous silicon". Physics of Low-Dimensional Structures, v.1/2, pp.123-130 (1997).
  • 3. P.K.Kashkarov, E.A.Konstantinova, A.V.Pavlikov, V.Yu.Timoshenko. "Dielectric effect on exciton dynamics in silicon quantum wires". In "Nanostructures: Physics and Technology-95. International Symposium Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers", St. Petersburg, Russia, June 23-27, p.403-406, (1997).
  • 4. P.K.Kashkarov, A.I.Efimova, E.A.Konstantinova, A.V.Pavlikov, V.Yu.Timoshenko. "Carriers recombination in silicon nanostructures surrounded by dielectric ambients porous silicon". In "International Symposium on Advanced Materials for Optics and Optoelectronics (ALT97). Abstracts", Limoges, France, September 8-12, p.S4-13, (1997).
  • 5. П.К.Кашкаров, Б.В.Каменев, Е.А.Константинова, А.И.Ефимова, А.В.Павликов, В.Ю.Тимошенко "Динамика неравновесных носителей заряда в кремниевых квантовых нитях". Успехи физических наук, т.168, № 5, сс.577-582 (1998).
  • 6. P.K.Kashkarov, B.V.Kamenev, E.Konstantinova, M.G.Lisachenko, A.V.Pavlikov, V.Yu.Timoshenko “. " Effect of Dielectric Ambient and Temperature on Dynamics of Carrier Recombination in Porous Silicon Nanostructures ”, PSST-98, 16-20 March, Mallorca, Spain, P1-13, (1998).
  • 7. 5-я международная конференция " Nanometer- scale Science and Technology", Англия (Birmingham), август 1998 г.. Доклад "Surface Effect on Carrier Recombination in Nanostructures of Porous Silicon".
  • 8. P.K.Kashkarov, E.A.Konstantinova, A.I. Efimova, B.V. Kamenev, M.G. Lisachenko, A.V.Pavlikov, V.Yu.Timoshenko "Carrier recombination in silicon quantum wires surrounded by dielectric medium". Physics of Low-Dimensional Structures, v.3/4, pp.191-201 (1999).
  • 9. V.Yu. Timoshenko, M.G. Lisachenko, P.K. Kashkarov, E.A. Konstantinova, A.E. Efimova, B.V. Kamenev, A.V. Pavlikov. “Dynamics of Carrier Recombination in Silicon Quantum Wires Surrounded by Dielectric Ambients”, E-MRS 1999 Spring Meeting, Book of Abstracts, Strasbourg (France), June 1 –4, 1999, p.I-44, I-III/P24.
  • 10. Л.А. Осминкина, Е.В. Курепина, А.В. Павликов, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров «Взаимодействие инфракрасного излучения со свободными носителями заряда в мезопористом кремнии» ФТП, 2004, том 38, вып.5, с.603-609
  • 11. A. V. Pavlikov, L. A. Osminkina, E. A. Konstantinova A. I. Efimova, E. V. Kurepina, V. Yu. Timoshenko, and P. K. Kashkarov “Optical study of equilibrium charge carriers in mesoporous silicon” PSST-2004
  • 12. Efimova A.I., Pavlikov A.V., Krutkova E.Yu. Optical properties of anisotropically nanostructured silicon // 10th International Conference “Nonlinear Optics of Liquid and Photorefractive Crystals” October 3-8, 2004, Alushta, Crimea, Ukraine p. 74
  • 13. L. A. Osminkina, A.S. Vorontzov, A.V. Pavlikov, E.A. Konstantinova, V. Yu. Timoshenko, P. K. Kashkarov. «Effect of active molecules adsorption on electron and optical properties of porous silicon». International conference Functional Materials 2005. 3-8 October 2005 г. Crimea, Ukraine, p.346.
  • 14. А.В. Павликов, Л.А. Осминкина, И.А. Белогорохов, Е.А. Константинова, А.И. Ефимова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров «Роль исходного легирования в эффекте изменения концентрации носителей заряда в пористом кремнии при адсорбции молекул аммиака» ФТП, 2005, том 39, вып.11, с.1385-1388
  • 15. A. V. Pavlikov, L. A. Osminkina, E. A. Konstantinova A. I. Efimova, E. V. Kurepina, V. Yu. Timoshenko, and P. K. Kashkarov “Optical study of equilibrium charge carriers in mesoporous silicon” phys. stat. sol. (c) 2, No. 9, 3495–3499 (2005)
  • 16. A.V. Pavlikov, V.Yu.Timoshenko, L.A. Osminkina, P.K.Kashkarov «Effect of Ammonia Adsorption on Charge Carrier in Mesoporous Silicon of n- And p-type Conductivity», 5-th International Conference PSST-2006, March 12-17, 2006, Sitges-Barcelona.
  • 17. L.A. Osminkina, A.S. Vorontsov, S.A. Kutergin, A.E. Tkachenko, D.A. Mamichev, A.V. Pavlikov, E.A. Konstantinova, V.Yu. Timoshenko, P.K. Kashkarov «Influence of Iodine Molecule Adsorption on Electronic Properties of Porous Silicon Studied by FTIR and EPR Spectroscopy» 5-th International Conference PSST-2006, March 12-17, 2006, Sitges-Barcelona.
  • 18. P.K. Kashkarov, L.A. Osminkina, E.A. Konstantinova, A.V. Pavlikov, A.S. Vorontsov, V.Yu. Timoshenko «Control of charge carrier density in mesoporous silicon by adsorption of active molecules» 5-th International Conference PSST-2006, March 12-17, 2006, Sitges-Barcelona.
  • 19. L.A. Osminkina, A.S. Vorontsov, S.A. Kutergin, A.E. Tkachenko, D.A. Mamichev, A.V. Pavlikov, E.A. Konstantinova, V.Yu. Timoshenko, P.K. Kashkarov. “Influence of iodine molecule adsorption on electronic properties of porous silicon studied by FTIR and EPR spectroscopy”. Phys. Status Solidi (c), 4, N6, 2007, p.2121-2125.
  • 20. L.A. Osminkina, E.A. Konstantinova, A.V. Pavlikov, A.S. Vorontsov, V.Yu. Timoshenko, P.K. Kashkarov. “Control of charge carrier density in mesoporous silicon by adsorption of active molecules”. Phys. Status Solidi (a), 204, N5, 2007, p.1404-1407
  • 21. Alexander V. Pavlikov, Liubov A. Osminkina, Alexander S. Vorontsov, Victor Yu. Timoshenko, and Pavel K. Kashkarov «Effect of ammonia adsorption on charge carriers in mesoporous silicon of n- and p-type conductivity», phys. stat. sol. (c) 4, No. 6, 2126– 2130 (2007)
  • 22. Alexander V. Pavlikov, Ivan B. Leukhin, Anton A. Silaev, Alexander S. Vorontsov and Victor Yu.Timoshenko “The Role of H2O Molecules in the Process of Ammonia Adsorption on the Silicon Nanostructures Surface” International conference “Micro and Nano 2007” p.57 Athens, Greece 18-21 November 2007
  • 23. Elizaveta Konstantinova, Alexander Pavlikov, Alexander Vorontsov, Alexandra Efimova, Victor Timoshenko, and Pavel Kashkarov «IR and EPR study of ammonia adsorption effect on silicon nanocrystals» Phys. Status Solidi A 206, No. 6, 1330 – 1332 (2009)
  • 24. A. Pavlikov, E. Konstantinova, and V. Timoshenko. Correlation between spin density and photoluminescence intensity in thermally oxidized porous silicon. Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics, 8(6):1928–1930, 2011.
  • 25. Alexander V. Pavlikov, Arseniy V. Lartsev, Igor A. Gayduchenko, and Victor Yu Timoshenko. Optical properties of materials based on oxidized porous silicon and their applications for uv protection. Microelectronic Engineering, 90(0):96–98, 2012.
  • 26. A.V. Pavlikov, I.A. Gayduchenko, G.K. Mussabek, E.T. Taurbaev, T.I. Taurbaev, and V.Yu Timoshenko. Optical and electrical properties of nanocrystalline films formed from amorphous silicon by thermal annealing and stain etching. Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics, 7(6, SI):629–632, 2012.
  • 27. L.A. Aslanov, V.N. Zakharov, A.V. Pavlikov, S.V. Savilov, V.Yu Timoshenko, and A.V. Yatsenko. Synthesis and properties of nanosilicon stabilized by buthyl and perfluorobuthyl ligands. Russian Journal of Coordination Chemistry, 39(6):427–431, 2013.